利用高能真空電漿技術，有效去除植體表面的碳化合物及其他雜質，顯著提高植體的清潔度與表面活性：
高能真空電漿技術提供高達21 eV的能量，有效分解碳氫鍵（~13.6 eV），與傳統UV處理和大氣電漿電漿相比具有以下優勢：